Saat ini teknologi berbasis Flash pada hard disk sedang menjadi tren.
Beberapa produsen komputer telah mengganti hard disk tipe magnetik
menjadi flash memory untuk alasan kecepatan. padahal, teknologi flash
awalnya tidak dirancang untuk penyimpanan massal karena terlalu lambat
bekerja. RAM dan CPU bahkan dapat memproses data 20 kali lebih cepat
dibandingkan proses data pada hard disk berbasis flash. Banyak
perusahaan-perusahan besar seperti IBM, Toshiba, atau Fujitsu yang telah
menginvestasikan milyaran dollar untuk berkompetisi dalam mengembangkan
teknologi super cepat pengganti Flash. Mereka telah meneliti puluhan
metode baru yang lebih cepat, lebih tahan lama, lebih hemat listrik
daripada Flash.
Pengganti teknologi flash memang sangat dibutuhkan
karena pengembangan teknologi ini telah mencapai batas maksimal.
Sel-selnya sulit diperkecil lagi untuk mencapai kapasitas simpan yang
lebih besar. Selain itu, usia pakai dan konsumsi listrik juga sulit
dioptimalkan lebih jauh lagi. Masalah utama hard disk berbasis flash
adalah untuk proses tulis dan hapus memerlukan arus listrik yang lebih
kuat. Selain itu, teknologi flash ini rata-rata hanya tahan 10.000
proses tulis dan setelah itu tidak dapat digunakan lagi.
Berikut ini 3 jenis teknologi hard disk yang akan digunakan dimasa depan :
1. SONOS
Teknologi
ini mampu mengurangi tegangan yang dibutuhkan sebanyak 50% dibanding
teknologi flash. Dengan begitu, kemampuan sel meningkat hingga 10.000
lebih banyak untuk proses tulis dibanding teknologi flash. SONOS
dibangun secara konvensional sudah jauh berkembang. Idenya sendiri
berasal dari tahun 60-an dan chip pertama dibuat tahun 70-an. Militer
dan penerbangan luar angkasa telah menggunakan sel SONOS dalam
perangkat-perangkat yang tidak boleh peka terhadap pancaran radioaktif.
Untuk pasar massal, sampai saat ini miniaturisasi dan produksi yang
murah masih belum memadai. Namun, teknologi ini sudah siap sedia jika
Flash sudah tidak bisa berkembang lagi.
2. FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory)
Sel
flash dapat mencapai 10.000 proses tulis. FeRAM didesain mampu bertahan
hingga 10 miliar proses tulis, angka ini sudah mendekati penggunaan
"unlimited". Kelebihan FeRAM lainnya dalam proses tulis hanya
membutuhkan tegangan rendah. Sehingga, konsumsi listrik dapat berkurang
hingga 50-25% dari semula. Kinerja tulis juga lebih baik dibanding
flash.
Modul dengan FeRAM diproduksi oleh Fujitsu dan Texas
Instruments untuk micro-controller. Saat ini, biaya simpan per Bit masih
sangat malah sehingga teknologi ini baru bisa diterapkan pada perangkat
elektronik kendali airbag atau dalam teknologi kedokteran.
3. MRAM (Magnetoresistive RAM)
Seperti
FeRAM, Magneto-resistive RAM (MRAM) juga dirancang untuk bertahan lama
dan sangat cepat. Data disimpan sebagai kutub magnetik tahan lama, tapi
mudah diubah-ubah tanpa batasan siklus. Seperti calon pengganti Flash
lainnya, saat ini chip MRAM telah diproduksi, tetapi baru digunakan
secara terbatas pada bidang-bidang khusus, seperti penerbangan luar
angkasa. Namun, keseriusan perusahaan seperti IBM, Toshiba, dan NEC
dalam mengembangkan teknologi ini, memungkinkan MRAM untuk diproduksi
secara massal di tahun-tahun mendatang.
4. Phase Change Memory
Apabila
teknologi ini selesai dikembangan, teknologi ini bisa 100 kali lebih
cepat dan jauh lebih efisien dibandingkan teknologi flash. Apabila
kebanyakan sistem berbasis efek elektrik atau magnetik, PCM memanfaatkan
perubahan fisik dari suatu material. Material jenis ini bisa berbentuk
kristal pada hambatan listrik rendah atau bukan kristal pada hambatan
lebih tinggi. teknologi ini telah digunakan pada media optik yang dapat
ditulis ulang. Saat proses tulis, sebuah impuls listrik dapat
menciptakan berbagai kondisi material. Impuls yang panjang dapat
melelehkan material sepenuhnya sehingga ketika didinginkan memiliki
kondisi molekul yang tidak beraturan. Impuls yang lebih singkat dapat
memanaskan ke suhu yang lebih rendah daripada titik leleh sehingga
terbentuk struktur kristal yang teratur.Seperti pada MRAM, isi sel
dibaca dengan mengukur hambatan listriknya. Pergantian fase bisa cepat
dilakukan. Para peneliti di IBM mencapai proses tulis yang 100 kali
lebih cepat daripada Flash. Setiap sel bisa langsung diubah dari satu
fase ke lainnya. Samsung, Intel dan Hynix telah menyediakan
elemen-elemen memori PCM dalam ukuran kecil hingga 64 MB untuk ponsel.
5. ReRAM dan CB-RAM
Resistive-RAM
(ReRAM) dan Conductive-Bridging RAM (CB-RAM) memungkinkan pembuatan
struktur yang jauh lebih kecil (hingga ukuran beberapa ion). Kelebihan
utama ReRAM dan CB-RAM dibanding Flash adalah kecepatan, usia pakai
lebih lama, dan potensi miniaturisasi hingga ke dimensi nano. Tahun ini,
peneliti di Hewlett-Packard, Stan Williams, mengumumkan teknologi ReRAM
akan siap dipasarkan pada tahun 2013 dalam bentuk chip-chip Memristor.
Selain
dari tiga teknologi yang saya uraikan diatas, masih ada beberapa
teknologi hard disk lain yang sedang dikembangkan seperti Nano-RAM.
Semua teknologi yang diperkenalkan ini memungkinkan pembuatan memori
yang jauh lebih cepat daripada yang sudah ada. Tinggal menunggu waktu
saja, teknologi mana yang akan berhasil lebih dahulu mencapai produksi
massal. Sementara ini, pernyataan paling konkret datang dari
Hewlett-Packard. Perusahaan ini berencana menjual sebuah produknya
denganteknologi ReRAM-Memristor mulai tahun 2013. Jika hal tersebut
terjadi, berarti nantinya komputer dapat segera siap bekerja setelah
dihidupkan. Begitu juga dengan smartphone dan perangkat pintar lainnya.
Selain itu, dengan teknologi baru, durasi baterai juga bisa lebih
panjang daripada sekarang.
Artikel ini ringkas dari artikel yang diterbitkan majalah Chip Edisi 02/2012 dan dari transiskom 2012
Hard Disk Teknologi SSD Flash (kiri) dan Magnetik (kanan)
chip SSD FLASH
Tidak ada komentar:
Posting Komentar